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51.
氢能的引入能有效提升配电网的供电可靠性,而电解水制氢是实现低碳转型的关键技术,开发高效的电解水催化剂势在必行。过渡金属氧化物储量大、催化活性高,是具有广阔应用前景的析氧反应催化剂。本文通过射频等离子体处理制备石墨烯上负载Co3O4析氧催化剂,XRD、Raman和XPS测试结果显示,二维结构石墨烯的引入加速表面电子迁移,增大了反应面积。等离子体处理促进了纳米粒子在石墨烯上的负载,利用等离子体刻蚀作用在催化剂表面制造出大量碳结构缺陷和氧空位结构,改善了活性位点分布,有效调控Co3O4电子结构,提高析氧催化活性。电化学测试表明,本文中合成的Co3O4@rGO在电流密度为50 mA·cm-2时的过电位为410 mV,动力学反应速率较快,表现出优于商业IrO2的析氧催化活性。 相似文献
52.
Heterostructured MoS2/GPC anode: the synergistic lithium storage performance and lithiation kinetics
Zhang Xia Dong Chaoyang Sun Yangang Liu Binyang Sun Lili Lu Yongjuan Yu Jing Wei Yajun Xu Yuandong 《Journal of Solid State Electrochemistry》2022,26(2):491-501
Journal of Solid State Electrochemistry - Grapefruit peel carbon (GPC) is prepared from waste grapefruit peel and further used as substrate for in situ construction of MoS2 arrays, forming MoS2/GPC... 相似文献
53.
54.
55.
Yuan Xin Zhang Shuren Zhong Xuanmeng Yuan Hao Song Dongfan Wang Xiaoyu Yu Hanyang Guo Zijian 《中国科学:化学(英文版)》2022,65(10):1978-1984
Science China Chemistry - Oncogenic KRAS reprograms pancreatic ductal adenocarcinoma (PDAC) cells to a state that is awfully resistant to apoptosis. An alternative coping strategy is to trigger a... 相似文献
56.
具有n个顶点且度序列为(m,2,…,2,1,…,1)(1的重数为m)的连通图不止一个(这些图均为树),而每个树对应唯一一个段序列(l1,l2,…,lm).通过对任意一树移动最长段的悬挂点到最短段悬挂点的方式得到另一树,比较前后两树的覆盖成本和反向覆盖成本,给出了具有最小覆盖成本和反向覆盖成本的极树,并且进一步给出了取得最小覆盖成本和反向覆盖成本的顶点. 相似文献
57.
Ustavschikov S. S. Levichev M. Yu. Pashen’kin I. Yu. Gusev N. S. Gusev S. A. Vodolazov D. Yu. 《JETP Letters》2022,115(10):626-633
JETP Letters - Regions with a negative differential resistance have been revealed in the voltage–current characteristics of superconducting MoN strips with a side cut under high-power... 相似文献
58.
本文通过固结磨料球与KDP晶体对磨的单因素试验探究固结磨料球中反应物种类、磨粒浓度、反应物浓度、基体硬度对摩擦系数、磨痕截面积和磨痕处粗糙度的影响,试验结果表明:KHCO3固结磨料球对磨后磨痕对称性好,磨痕处的粗糙度值低;磨痕截面积随磨粒和反应物浓度的增加而增大,随基体硬度的增大而降低;磨痕处粗糙度随磨粒和反应物浓度的增加先降低后上升,随基体硬度的增大先上升后降低;摩擦系数受磨粒和反应物浓度影响不明显,随基体硬度的增大而降低。选择KHCO3作为反应物,Ⅰ基体,磨粒浓度为基体质量的100%,反应物浓度为15%制备固结磨料球与KDP晶体对磨后的磨痕轮廓对称度好且磨痕处粗糙度值低,以该组分制备固结磨料垫干式抛光KDP晶体,可实现晶体表面粗糙度Sa值为18.50 nm,材料去除率为130 nm/min的高效精密加工。 相似文献
59.
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。 相似文献
60.
JETP Letters - The electronic and transport properties of new hybrid 2D–1D–2D structures of carbon atoms, which are graphene sheets continuously connected through a fragment of a... 相似文献